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崗位職責： 1、負責功率模塊前沿技術的市場調研及行業信息的跟蹤，產品規格定義等； 2、負責IGBT芯片設計與開發，器件仿真、版圖設計、競品分析等； 3、負責功率IGBT芯片的外包流片，優化芯片工藝， 提高芯片性能； 4、負責功率IGBT芯片的電學測試以及芯片和封裝模塊的可行性認證。 3、提供項目從立項到量產前的開發過程需要的文件資料，受控相關文件等； 任職要求： 1、本科及以上微電子、集成電路等相關專業，2年以上IGBT芯片設計相關經驗； 2、熟悉并掌握功率半導體器件的原理，結構，特性，工藝，封裝，應用等； 3、能夠熟練使用數據分析、相關器件仿真軟件，熟悉器件可靠性分析手法； 4、邏輯清晰，有較強的溝通協調能力、團隊精神和較強的抗壓能力； 5、良好的英文閱讀能力。